中科院研发出全固态DUV光源技术，助力我国半导体产业迈向高端

中国科学院（CAS）的研究团队在光刻技术领域取得重大突破，成功研发出全固态深紫外（DUV）光源技术，这一技术的问世，标志着我国在半导体领域迈向高端制造的重要一步，为我国半导体产业的发展注入了强大的动力。

深紫外（DUV）激光器凭借其高光子能量和短波长特性，在半导体光刻、高分辨率光谱学、精密材料加工和量子技术等领域发挥着关键作用，193纳米波长的DUV激光器在半导体光刻领域具有极高的应用价值，是实现半导体工艺向更小尺寸节点发展的重要光源。

传统的DUV光源技术主要采用氟化氙（ArF）准分子激光技术，通过氩气和氟气混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193纳米波长的光子，这种技术存在诸多缺点，如对稀有气体的依赖、能耗高、系统复杂等，相比之下，中科院研发的全固态DUV光源技术具有显著优势。

该技术采用全固态设计，由自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030纳米激光，通过两条不同的光学路径进行波长转换，一条路径采用四次谐波转换（FHG）将1030纳米激光转换为258纳米，输出功率为1.2瓦；另一条路径则通过光学参数放大（OPA）将其转换为1553纳米，输出功率为700毫瓦，经过转换后的两路激光通过串级硼酸锂（LBO）晶体混合，生成193纳米波长的激光光束。

与传统的DUV光源技术相比，中科院研发的全固态DUV光源技术具有以下优势：

1、降低对稀有气体的依赖：全固态设计无需使用稀有气体，降低了成本和环境影响。

2、降低能耗：全固态激光器具有更高的光电转换效率，降低了能耗。

3、降低系统复杂度：全固态设计简化了系统结构，降低了维护成本。

4、提高光束质量：全固态激光器具有更高的相干性和稳定性，提高了光束质量。

5、推动半导体工艺发展：该技术可实现3nm工艺节点的制造，助力我国半导体产业迈向高端。

据悉，这一突破性成果已经在国际光电工程学会（SPIE）的官网上公布，标志着我国在DUV光源技术领域的首次亮相，此次研发的全固态DUV光源技术，不仅为我国半导体产业提供了强有力的技术支持，还为全球半导体行业的发展提供了新的选择。

中科院将继续加大研发力度，推动全固态DUV光源技术在半导体领域的广泛应用，在国内外市场的激烈竞争中，我国半导体产业有望借助这一技术实现跨越式发展，为我国科技事业和经济发展做出更大贡献。